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关于朗科NV5000和NV7000的分析

2022-04-13
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爱搜啊

朗科近期发布了NV5000,NV7000两款PCIE4.0SSD,并且上架京东。

本想买来拆解测试,奈何因为疫情根本到不了货,只能推测一下用料了。

Netac NV5000

首先分析NV5000。据TBW分析应该是原厂颗粒,白片黑片应该不敢给这么高的TBW。颗粒最低也应该是1XX层堆栈的,没有实物不好推测,但据朗科一贯的行为,推测颗粒又是第三方封装。(注意,第三方封装有可能是原厂颗粒,不一定是降级片)

主控大概率是英韧IG5220,无DRAM设计。因为该主控参数与此SSD最为接近。

Innogrit IG5220/5221

之所以推测不是5221,是因为随机读取为600K IOPS并未标到主控标称最大值800K IOPS。

IG5220支持4CE,要达到标称5000MB/S的速度,闪存带宽至少是1250MT/S的。

长存Xtacking3.0 128层堆栈的颗粒是1600MT/S,可作为基准参考,据此推测至少为1XX层堆栈的闪存颗粒。

我先后看了群联,慧荣,得一微,联芸,英韧官网得出以上结论。但联芸和群联说发布了,官网上却找不到信息,我只得作罢。而得一微的GEN4主控和慧荣SM2267/2267XT主控速度不到4000M/S,首先排除。剩下的就是英韧IG5236/5221/5220,慧荣SM2264。

Innogrit IG5236

SMI SM2264

Netac NV7000

据此三个参数表分析,主控大概率是SM2264,但硬盘应该仍然是HMB无DRAM缓存的盘,因随读随写均未达到慧荣官方的标称速度。

另,IG5220支持4CE,SM2264支持8CE,一般4CE的闪存颗粒至少是4Die封装,8CE的闪存颗粒至少是8Die封装。CE,就是通道,应好理解CE数加倍,速度加倍。Die数,就是单科颗粒中封装的小晶片数量。应好理解Die数翻倍,容量翻倍。且NV5000和NV7000使用颗粒可能相同,因为这样可以减少企业采购的负担。

理论最大传输速度=CE数与闪存最大带宽的乘积

最后附上SSD的官方图,真好看~~

33(1).png


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标签: NV5000 NV7000
于2022-04-13发布